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crc

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北京世纪金光半导体有限公司 产品与服务 碳化硅单晶材料 碳化硅功率器件 碳化硅功率模块 检测与代工 技术支持 资料下载 产品选型 营销网络 新闻动态 公司新闻 行业新闻 关于我们 公司介绍 招贤纳士 联系我们 联系我们: 010-56993369 English 应用碳化硅解决方案,可实现充电桩高温环境下安全、稳定运行 碳化硅功率器件可应用于充电模块的PFC与次级整流部分,由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能显示优异的电气特性,可大幅降低开关损耗,实现周边元器件的小型化。 了解更多 碳化硅技术可显著提高电动汽车续航里程 碳化硅功率器件可实现新能源汽车OBC、DC/DC转换器及电机驱动系统小型化、轻量化、高效化,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升6%左右。 了解更多 碳化硅技术的应用,可大幅提升光伏逆变器的电能转换效率 光电转换效率作为并网光伏逆变器最重要的性能指标,传统硅基器件已无法实现更高的效率转换。而碳化硅因其具有更低开关损耗的特性,在并网光伏逆变器中应用可大大减少其电能损耗,同时还可减积减重,降低整机成本。 了解更多 碳化硅单晶片 碳化硅功率器件 碳化硅功率模块 检测与代工 6英寸碳化硅单晶衬底 碳化硅(SiC)是性能优异的第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。 MORE+ 碳化硅SBD/MOSFET 碳化硅(SiC)是性能优异的半导体材料,具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、电子饱和漂移速度高等优点。 MORE+ 混合/全碳化硅功率模块 碳化硅(SiC)是性能优异的第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。 MORE+ 检测与代工 碳化硅(SiC)是性能优异的第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。 MORE+ 应用领域 APPLICATION 高性能电源 碳化硅功率器件可应用...

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